SK海力士砸900億美元擴產

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SK海力士砸900億美元擴產

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SK海力士擬斥資900億美元擴產,規劃在2025年3月正式啓動,考量目前AI市場對HBM產品的龐大需求,SK海力士很可能選擇優先擴大HBM產能。圖/美聯社

SK海力士HBM/TSV產能預估

人工智慧(AI)和高效能計算(HPC)市場需求大增,韓國記憶體大廠SK海力士憑着旗下的高頻寬記憶體(HBM)和DDR5產品,2023第四季本業轉虧爲盈,爲鞏固市場,擬斥資900億美元擴產。

根據外電報導,SK海力士預計至少斥資120兆韓元(近900億美元)的資金,在位於韓國京畿道中部的龍仁市建設新的半導體生產園區,其中,包括四座獨立的晶圓廠,目前正在做開工前的準備工作,而準備工作已完成了三分之一。

據報導,SK海力士規劃在2025年3月正式進行擴產計劃,首座晶圓廠將在2027年完工,整個園區預計在2046年完工。

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考量到目前AI市場對於HBM產品的龐大需求,SK海力士在產能吃緊的情況下,很可能選擇優先擴大HBM產能。

另外,預計建造的四座晶圓廠,將佔據園區的一半大小,且SK海力士還將在園區內興建配套支援設施,如廢水處理廠、資源回收場等。

除了SK海力士外,三星也選擇了在附近建造類似的半導體生產園區、研發中心,以因應AI帶來的市場需求。

SK海力士第五代高頻寬記憶體HBM3E,主攻輝達(NVIDIA)H200/B100商機,是市面上針對AI應用的最高規格DRAM產品,提供業界最高36GB容量、每秒1.18TB的處理速度,以及卓越的散熱性能,特別適用於人工智慧系統。

SK海力士在3月19日已宣佈HBM3E率先成功量產,SK海力士目前在HBM市佔率高達5成,惟三星及美光皆想搶食此塊大餅。

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惟外電亦報導,輝達最快將自9月開始大量採購12層HBM3E記憶體,外界推估將搶食輝達GB200商機,這些記憶體將由三星獨家供貨,打破SK海力士在HBM市場的獨霸地位。

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